BSP299 E6327
Производитель Номер продукта:

BSP299 E6327

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

BSP299 E6327-DG

Описание:

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Инвентаризация:

12850858
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

BSP299 E6327 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4-21
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP000011110
BSP299E6327
BSP299E6327T
BSP299 E6327-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FDMC86012

MOSFET N-CH 30V 23A POWER33

onsemi

FCA47N60F

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

onsemi

FDA59N25

MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN

onsemi

FDP3672

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220